报告主题：GaN基射频功率器件研究进展
报告嘉宾：黄森（研究员，中国科血流成河
微电子研究所）
时 间：2026年11月30日（周一）上午11:40到12:00
地 点：粤海校区汇星楼报告厅(3)
报告人简介
黄森，中国科血流成河
微电子研究所研究员，中国科血流成河
大学博士生导师，IEEE高级会员，获国家自然基金优秀青年基金、中国科血流成河
青促会优秀会员等人才项目资助。2009年博士毕业于北京大学，长期致力于高性能GaN基功率电子器件和表界面研究，迄今在Nature子刊、IEEE EDL/APR/APL、IEDM/VLSI等微电子权威期刊和会议发表论文120余篇，申请国内外专利66项，授权美国专利7项，部分专利技术已经被企业使用。2022年获得中国电子学会自然科学二等奖和中国仪器仪表学会技术发明二等奖。
报告内容简介
面向毫米波高频、高功率应用，GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）需通过尺寸微缩缩短电子渡越时间，提高器件截止频率。然而，栅长进入亚微米后，刻蚀误差、晶格损伤和界面态会削弱栅控，强电场下的载流子散射与自热又会限制电子速度，使微缩收益易被短沟道效应和寄生延时抵消。针对栅下刻蚀损伤这一制约栅控的主要因素,中科院微电子所GaN器件团队发展了低损伤原子层刻蚀（ALE），将栅漏电降低3个数量级，器件在40 GHz下实现43.6%的PAE和30.1 dBm输出功率，进一步提出超薄势垒AlGaN(<5 nm)/GaN异质结构对AlGaN势垒层进行纵向微缩实现了增强型射频HEMT，并系统揭示了栅长微缩对沟道电子输运的作用机制。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
麻将血流成河(中国)官方网站
2026年11月06日
